目前電子信息制造領域的自動化、智能化水平，僅次于汽車工業。在半導體產業中，晶圓制造的自動化、智能化水平最高。
以下為半導體芯片生產工序簡析：
1 硅提純
生產芯片的材料是半導體，現階段主要的材料是硅Si，這是一種非金屬元素，從化學的角度來看，由于它處于元素 周期表中金屬元素區與非金屬元素區的交界處，所以具有半導體的性質，適合于制造各種微小的晶體管，是目前最適宜于制造現代大規模集成電路的材料之一。
在硅提純的過程中，原材料硅將被熔化，并放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐里放入一顆晶種，以便硅晶體圍著這顆晶種生長，直到形成一個幾近完美的單晶硅。以往的硅錠的直徑大都是200毫米，而芯片廠商正在增加300毫米晶圓的生產。
2 切割晶圓
硅錠造出來了，并被整型成一個完美的圓柱體，接下來將被切割成片狀，稱為晶圓。晶圓才被真正用于芯片的制造。所謂的“切割晶圓”也就是用機器從單晶硅棒上切割下一片事先確定規格的硅晶片，并將其劃分成多個細小的區域，每個區域都將成為一個芯片的內核(Die)。一般來說，晶圓切得越薄，相同量的硅材料能夠制造的芯片成品就越多。
3 影印（Photolithography）
在經過熱處理得到的硅氧化物層上面涂敷一種光阻（Photoresist）物質，紫外線通過印制著芯片復雜電路結構圖樣的模板照射硅基片，被紫外線照射的地方光阻物質溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區域也受到光的干擾，必須制作遮罩來遮蔽這些區域。這是個相當復雜的過程，每一個遮罩的復雜程度得用幾十個GB數據來描述。
4 蝕刻（Etching）
這是芯片生產過程中重要操作，也是芯片工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。然后，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以制造出N井或P井，結合上面制造的基片，芯片的門電路就完成了。
5 重復、分層
為加工新的一層電路，再次生長硅氧化物，然后沉積一層多晶硅，涂敷光阻物質，重復影印、蝕刻過程，得到含多晶硅和硅氧化物的溝槽結構。重復多遍，形成一個3D的結構，這才是最終的芯片的核心。每幾層中間都要填上金屬作為導體。層數決定于設計時芯片的晶體管布局和晶體管規模，以及通過的電流大小。
6 封裝
這時的芯片是一塊塊晶圓，它還不能直接被用戶使用，必須將它封入一個陶瓷的或塑料的封殼中，這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。封裝結構各有不同，但越高級的芯片封裝也越復雜，新的封裝往往能帶來芯片電氣性能和穩定性的提升，并能間接地為主頻的提升提供堅實可靠的基礎。
7 多次測試
測試是一個芯片制造的重要環節，也是一塊芯片出廠前必要的考驗。這一步將利用X-RAY觀察IC芯片內部結構，通過檢測到芯片中的綁定線（焊線）和焊接點，用以判斷芯片焊接是否符合標準，是否存在脫焊、虛焊、漏焊、錯焊等現象，從而發現IC芯片工藝中的物理缺陷和不良品。最后，個別芯片可能存在某些功能上的缺陷，如果問題出在緩存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分緩存，這意味著這塊芯片依然能夠出售，只是它可能是Celeron等低端產品。當芯片被放進包裝盒之前，一般還要進行最后一次測試，以確保之前的工作準確無誤。根據前面確定的最高運行頻率和緩存的不同，它們被放進不同的包裝，銷往世界各地。
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本文標題：半導體芯片制造工藝流程
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